型号 SI8473EDB-T1-E1
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT
SI8473EDB-T1-E1 PDF
代理商 SI8473EDB-T1-E1
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 41 毫欧 @ 1A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 1.5V @ 250µA
功率 - 最大 1.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 4-XFBGA,CSPBGA
供应商设备封装 4-Microfoot
包装 剪切带 (CT)
其它名称 SI8473EDB-T1-E1CT
同类型PDF
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SI84XXCOM-RD Silicon Laboratories Inc KIT EVAL FOR SI84XXCOM
SI84XXISO-KIT Silicon Laboratories Inc KIT EVAL FOR SI84XXISO
SI8501-B-GM Silicon Laboratories Inc SENSOR CURRENT 5A 5.5V UNI 12QFN
SI8501-C-GM Silicon Laboratories Inc SENSOR CURRENT 5A 5.5V UNI 12QFN
SI8501-C-IM Silicon Laboratories Inc SENSOR CURRENT 5A 5.5V UNI 12QFN
SI8501-C-IS Silicon Laboratories Inc SENSOR CURR 5A 5.5V UNI 20SOIC
SI8502-C-GM Silicon Laboratories Inc SENSOR CURR 10A 5.5V UNI 12QFN